| 戴辉.热释光元件退火炉温度的控制[J].中华放射医学与防护杂志,2003,23(6):461..[J].Chin J Radiol Med Prot,2003,23(6):461 |
| 热释光元件退火炉温度的控制 |
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| 投稿时间：2003-04-03 |
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| 在放射工作人员个人剂量监测中,对TLD元件即LiF(Mg,Cu,P)退火温度的要求是比较严格的。温度平稳后要求控制在(240±0.5)℃,退火炉退火时的温度过冲要求不超过3℃,目的就是在每次照射之后经历这样的退火程序能使TLD元件有效地重新建立缺陷平均,重复使用元件。在退火过程中,如果温度低了,TLD元件陷井中的电子不能完全排空,就不能消除元件已有的剂量信息。而导致测量值偏高或偏低。当温度太高时还能造成元件灵敏度的永久性降低。因此,不论是在TLD元件的实际应用中,还是在TLD元件的研究中,对元件热处理的温度控制是非常重要的。 |
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